Latch Digital Bipolar Influenciado Magneticamente em União com o Efeito Hall



dispositivo

Dispositivo HE3135



Menu:

  1. Características
  2. Descrição do Produto
  3. Dimensões e Localização do Sensor
  4. Avaliação de Valores Máximos Absoluto
  5. Parametros do Produto HE3135
  6. Guia para Instalação
  7. Procedimentos Recomendados
  8. Referencias

Introdução:

O componente HE3135 transduz um efeito magnético para um sinal digital através do Efeito Hall.
Efeito Hall - quando um metal percorrido por uma corrente I é exposto a um campo magnético B, perpendicular a corrente, a trajetória dos elétrons é alterada, ocorrendo o acumulo de elétrons de um lado do metal, ou seja, criando uma ddp.


Características:

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Descrição do Produto:

Desenvolvido para uso com múltiplos pólos, em aplicações que requerem extrema sensibilidade a reversão de campo magnético, o HE3150 Latch de efeito hall provê interface segura, fidedigna entre equipamentos eletromecânicos e circuitos com lógica bipolar ou MOS, com variação de freqüência de até 25kHz.

A saída do dispositivo bipolar influenciado magneticamente satura quando a célula de efeito hall é exposta a uma densidade de fluxo magnético maior que o limiar ON ( 25G tipicamente, 50G máximo ). A saída do transistor permanece no estado ON até a reversão do campo magnético exponha a célula de efeito hall a uma densidade de fluxo magnético abaixo do limiar OFF (-25G tipicamente, -50G mínimo ). Porque a condição de troca de estado ocorre só com a reversão do campo magnético, e não somente com uma mudança em sua força, o circuito integrado funciona como um verdadeiro Latch magnético devido ao efeito hall.

Característica de Transferência a 25C
operacao

Cada circuito consiste em um regulador de voltagem, gerador de voltagem de efeito hall, notável amplificador, circuito Schmitt Trigger e um transistor coletor aberto. O regulador permite a operação, com uma larga variação da tensão de alimentação.

diagramaDiagrama em bloco

Os componentes do circuito monolítico são cuidadosamente emparelhados para operarem precisamente em largas variações de temperatura. O HE3150 tem três terminais com uma saída, encapsulamento plástico e o sensor de efeito hall ( 0.065"/1.65 mm long ) colado com epoxy na superfície de trás.
Ao ser ligado o dispositivo, se não houver campo magnético externo o estado de saída estará indefinido, podendo ser "ON" ou "OFF".

Em operação normal, a saída do transistor vira ON quando o campo magnético esta perpendicular a superfície do chip alcançando o ponto de operação. A saída do transistor fica em OFF quando a reversão do campo magnético leva a densidade de fluxo magnético ao ponto de abertura.

Notar que o dispositivo latch; quer dizer, um pólo sul com força suficiente, apresentado a face do dispositivo, muda o dispositivo para ON. Ao removermos o pólo sul, o dispositivo continuará apresentando em sua saída o estado ON. A presença de um pólo magnético norte o dispositivo muda seu estado para OFF.

O latch digital HE3135 foi construído principalmente para operar com um ímã de múltiplos pólos em formato de anel. Outros métodos de operação são possíveis. Com a superfície marcada pela fábrica virada para você e o pinos para baixo da esquerda para direita temos: Vcc, Ground e o Vout.


componenteIdentificação dos Terminais circuitoCircuito Teste
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Avaliação de valores máximos absolutos:

Tensão de Alimentação, Vcc ..................... 24V
Tensão de saída OFF ............................ 25V
Corrente de saída ON ........................... 20mA
Escala da temp. de operação .................... -20C a +85C
EScala da temp. armazenada ..................... -40Cm a +105C
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Parametros do Produto HE3135:

CHARACTERISTIC

Symbol

Test Conditions Min. Typ. Max. Units
Operate Point BOP   10 +25 +50 Gauss
Release Point BRP   -50 -25 -10 Gauss
Hysteresis BH   20 50

Gauss
Output Saturation Voltage VSAT B³ +50 Gauss, ISINK=15mA

175 400 mv
Output Leakage Current IOFF B£ -50 Gauss,VOUT=24 V <1.0 10 µA
Supply Current ICC B£ 50 Gauss, VCC=4.5 V, Output Open 4.4 9.0 mA
Output Rise Time tr VCC=12 V, RL=820W , CL=20pF .04 2.0 mS
Output Fall Time tf VCC=12 V, RL=820W , CL=20pF .18 2.0 mS
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Guia para Instalação:

Todos os circuitos integrados de efeito hall são mecanismos suscetíveis a efeitos de tensão. Precauções devem ser exercitadas para minimizar a condução da tensão. O uso de cola de epoxy é recomendado. Outros tipos podem deformar o encapsulamento.

Para prevenir danos permanente para a célula de efeito hall, durante a soldagem manual. As condições máximas recomendadas são mostradas no gráfico 1.


grafico 1
gráfico 1

Procedimentos recomendados para manipulação de sensores de efeito hall:

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Referências:


Conclusão:

A empresa Cherry que vende o componente H33135, apesar de incentivar seus clientes a corresponderem-se com a empresa via e-mail, não nos respondeu, onde perguntavamos o preço do componente em questão e informações adicionais sobre a empresa. Enviamos o e-mail no dia 15/05/1999.
Com relação ao componente, podemos atribuir a ele varias utilizações em circuitos lógicos, sendo assim um excelente componente.

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