DEPARTAMENTO
DE ENGENHARIA ELÉTRICA
TE 046
DISPOSITIVOS
ELETRÔNICOS
1. Introdução
2. Física
dos Semicondutores
2.1. Materiais
Semicondutores
2.2.
Semicondutores Intrínsecos
2.3.
Semicondutores Dopados
2.4. Junção pn
3. Circuitos
com Diodos de Junção
3.1. Diodo Ideal
3.2. Diodo de
junção pn
3.3.
Retificadores
3.4 Reguladores de tensão
3.4 Reguladores de tensão
3.5. Limitadores
3.6. Dobradores de tensão
3.6. Dobradores de tensão
4.
Transistor Bipolar de Junção (TBJ)
4.1. Estrutura
e Funcionamento
4.2. Modelo de
Grandes Sinais
4.3. Modelo de
Pequenos Sinais
4.4. O TBJ como Chave
5. Transistor de Efeito de Campo MOS
5.1. Estrutura e funcionamento
5.4. O TBJ como Chave
6. Amplificadores Básicos
6.1. Amplificadores Fonte-Comum e Emissor-Comum
6.1. Amplificadores Porta-Comum e Base-Comum
4.4. O TBJ como Chave
5. Transistor de Efeito de Campo MOS
5.1. Estrutura e funcionamento
5.2. Modelo de
Grandes Sinais
5.3. Modelo de Pequenos Sinais5.4. O TBJ como Chave
6. Amplificadores Básicos
6.1. Amplificadores Fonte-Comum e Emissor-Comum
6.1. Amplificadores Porta-Comum e Base-Comum
6.1.
Amplificadores Dreno-Comum e Coletor-Comum
BIBLIOGRAFIA
A. Sedra and K.
Smith, Microelectronics Circuits, 5th edition, Oxford 2004
B. Razavi, Fundamentos de Microeletrônica,
Richard C. Jaeger, Travis N. Blalock , Microelectronic circuit design — 4th ed. McGraw-Hill, 2011
B. Razavi, Fundamentos de Microeletrônica,
Richard C. Jaeger, Travis N. Blalock , Microelectronic circuit design — 4th ed. McGraw-Hill, 2011