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Construção

Características
 de Temperatura

Série KTY81-1

KTY81-110

Consideraçõesfinais

Datasheets

Referencias
Sensor de Temperatura Phillips

        Construção do Sensor

    O plano superior do chip é coberto por uma camada de isolante SIO2 ,  na qual foi feito um buraco metalizado com um diâmetro de aproximadamente 20um. A parte inferior do chip é totalmente metalizada.
    Este arranjo resulta numa distribuição cônica da corrente pelo cristal, da onde provém o nome spreading resistence(Resistência Difundida).A maior vantagem é que a dependência da resistência do sensor pelos processos de fabricação e significantemente reduzida. A maior parte da resistência é determinada pela área perto do buraco metalizado que faz a medida independente das tolerâncias da dimensão do cristal de sílicio. A Fig.02 abaixo mostra o circuito equivalente desta construção.

Fig.02 Circuito Equivalente do Sensor

       Uma região positiva, difundida dentro do cristal abaixo da metalização reduz o efeito da camada de barreira das junções do  metal semicondutor.
     A Fig.03 mostra um segundo arranjo, que é a composição de dois sensores conectados em série, mas com polaridade invertida, que possuem a vantagem de prover uma resistência que e independente da direção da corrente. Isto é um oposição ao arranjo de sensor-único da Fig.04, que para grandes correntes e temperaturas acima de 100 C, dá uma resistência que varia ligeiramente com a direção da corrente. Esta figura também é uma seção através do cristal que mostra o princípio da difusão da resistência.


Fig.03 Arranjo de Dois Sensores Conectados em Série, com Polaridade Opostas


    Fig.04 Corte Através do Cristal 

     Normalmente, sensores de temperatura de sílicio tem um limite de temperatura de aproximadamente 150 C, determinado pelas propriedade do semicondutor intrínseco de sílicio. Se, entretanto, o dispositivo com sensor-único é pré-fabricado com seu contato de metal positivo, o onset do comportamento do semicondutor intrínsico é aumentado para uma temperatura mais elevada. Isto origina-se do fato que uma tensão positiva no contato de ouro severamente depleta a concentração de lacunas no na parte positiva da camada de difusão superior, e então efetivamente isola lacunas espontâneamente geradas dentro do corpo do cristal devido a sua natureza intrínseca. Como um resultado, as lacunas são impedidas na contribuição da corrente total, e consequentemente pela  alteração da resistência.
    O arranjo de dois sensores como mostrado na Fig.03 é aplicado nas séries KTY81 e KTY82.